Галлия арсенид

арт. 729368

В наличии 0.163 кг

3-7 дней, склад в России

Цена по запросу

Галлий арсенид: Высококачественный полупроводниковый материал для передовых технологий

Галлий арсенид (GaAs) — ключевой полупроводник, широко используемый в производстве высокочастотных и оптоэлектронных компонентов.

Формула: GaAs
Молекулярная масса: 144,63 г/моль
Плотность: 5,32 г/см³
Температура плавления: 1238 °C
Ширина запрещённой зоны: 1,4 эВ

Описание

Галлий арсенид (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка, обладающее прямозонной структурой и высокой подвижностью носителей заряда. Эти свойства делают его идеальным для создания высокочастотных и оптоэлектронных устройств, таких как микроволновые интегральные схемы, светодиоды, лазерные диоды и фотоприёмники. GaAs также используется в качестве подложки для эпитаксиального роста других полупроводников III-V, включая арсенид индия-галлия и арсенид алюминия-галлия. Важно отметить, что GaAs является более хрупким и менее теплопроводным, чем кремний, что требует особого подхода при его обработке и использовании.

Ответы на частые вопросы

Что такое галлий арсенид?

Галлий арсенид (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка, широко используемое в производстве высокочастотных и оптоэлектронных компонентов.

В каких областях используется галлий арсенид?

GaAs применяется в микроволновых интегральных схемах, светодиодах, лазерных диодах, фотоприёмниках и как подложка для эпитаксиального роста других полупроводников.

Какие преимущества имеет галлий арсенид по сравнению с кремнием?

GaAs обладает более высокой подвижностью носителей заряда и прямозонной структурой, что позволяет создавать более эффективные высокочастотные и оптоэлектронные устройства.